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基于小波分析的CMOS电路IDDT故障诊断新技术
引用本文:焦慧芳,贾新章,王群勇. 基于小波分析的CMOS电路IDDT故障诊断新技术[J]. 电子产品可靠性与环境试验, 2005, 23(1): 19-22
作者姓名:焦慧芳  贾新章  王群勇
作者单位:西安电子科技大学微电子研究所,陕西,西安,710071;信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;西安电子科技大学微电子研究所,陕西,西安,710071;信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610
摘    要:对CMOS数字集成电路故障诊断技术的基本方法进行介绍,探讨了基于小波分析的CMOS电路瞬态电流IDDT故障诊断新技术的基本原理和作用。介绍了该故障诊断新技术的国内外研究动态,展望了其在超大规模集成电路的故障诊断、失效机理研究、可靠性提高等方面的作用、意义及其广阔的应用前景。

关 键 词:故障诊断  瞬态电流IDDT  小波分析  故障特征参数
文章编号:1672-5468(2005)01-0019-04
修稿时间:2004-10-22

A new fault diagnosis technique using IDDT for CMOS IC based on wavelet analysis
JIAO Hui-fang,JIA Xin-zhang,WANG Qun-yong. A new fault diagnosis technique using IDDT for CMOS IC based on wavelet analysis[J]. Electronic Product Reliability and Environmental Testing, 2005, 23(1): 19-22
Authors:JIAO Hui-fang  JIA Xin-zhang  WANG Qun-yong
Abstract:It presents the basic method of the fault diagnosis technique for the CMOS digital IC and deals with the theory and performance of the new fault diagnosis technique based on the analysis of the transient current IDDT of CMOS circuits. It describes the international development on the research on the new technique and views its function and application in the area of VLSI fault diagnosis, failure mechanism research and reliability improvement.
Keywords:fault diagnosis  the transient current IDDT  wavelet analysis  fault characteristics.
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