|
|||||
|
|
| 新型紫外光源研制成功 | |
| 引用本文： | 江风益,熊传兵,彭学新,王立,李述体,姚冬敏,莫春兰,李鹏,周毛兴,周力,吴蔚登,刘和初.新型紫外光源研制成功[J].材料导报,2001,15(2):30-30. |
| 作者姓名： | 江风益 熊传兵 彭学新 王立 李述体 姚冬敏 莫春兰 李鹏 周毛兴 周力 吴蔚登 刘和初 |
| 作者单位： | [1]南昌大学材料科学研究所，南昌330047 [2]南昌746厂欣磊公司，南昌330012 |
| 摘 要： | 以GaN为代表的第三代半导体材料,是制造短波长高功率发光器件和高温大功率电子器件的具有代表性的半导体材料。到目前为止,国际上高功率蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、白光LED、蓝紫色LED及激光器等已实现了批量生产,走向了商业市场。 GaN半导体材料与器件的研究已历时30多年。前20年进展缓慢,未能研制出实用化的器件。近十年来,在日本获得了突 |
| 关 键 词： | 发光二极管 紫外光源 氮化镓半导体材料 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |