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基于SOI衬底的射频电感优化设计
引用本文:赵冬燕,张国艳,黄如. 基于SOI衬底的射频电感优化设计[J]. 半导体学报, 2004, 25(6): 702-706
作者姓名:赵冬燕  张国艳  黄如
作者单位:北京大学微电子学研究所 北京100871(赵冬燕,张国艳),北京大学微电子学研究所 北京100871(黄如)
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划) , 国家自然科学基金
摘    要:比较了SOIRF电感与体硅电感的性能 ,并根据模拟结果分析了电感中空面积 ,电感形状结构 ,金属宽度、间距对SOI电感品质因数Q、自谐振频率、电感量L的影响 ,最后提出了一种基于SOI衬底RF电感的优化设计原则 .以往射频集成电感性能的比较并不固定电感值 ,而文中全部参数的变化都是在电感值相同的情况下进行比较

关 键 词:SOI衬底   电感量   品质因数   自谐振频率
文章编号:0253-4177(2004)06-0702-05
修稿时间:2003-06-10

Optimization and Design of RF Inductors on SOI
Zhao Dongyan,Zhang Guoyan and Huang Ru. Optimization and Design of RF Inductors on SOI[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(6): 702-706
Authors:Zhao Dongyan  Zhang Guoyan  Huang Ru
Abstract:The characteristics of SOI RF inductors are compared to those of bulk RF inductors.The simulating results of the RF inductors on SOI are presented,and the effects on the inductance,quality factor,and self-resonant-frequency brought by the change of the inductor parameters are analyzed.Finally,some design and optimization principles of RF inductors based on SOI are suggested according to these results and analysis.The comparing way in this paper,which is based on same inductance is different from before.
Keywords:SOI-substrate  inductance  quality factor  self-resonant-frequence
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