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MEMS的细电子束液态曝光技术研究
引用本文:孔祥东,张玉林,卢文娟. MEMS的细电子束液态曝光技术研究[J]. 青岛大学学报(工程技术版), 2005, 20(4): 34-39
作者姓名:孔祥东  张玉林  卢文娟
作者单位:东营职业学院科研处,山东,东营,257091;山东大学控制科学与工程学院,济南,250061;山东大学控制科学与工程学院,济南,250061
基金项目:国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90307003),山东省自然科学基金资助项目(Y2003G03),山东省科技攻关计划基金资助项目(022090105)
摘    要:提出了可用于微机电系统加工的细电子束液态曝光技术。对该工艺的曝光方式、真空度需求、抗蚀剂选择以及能量和剂量需求等问题进行了理论分析和实验研究。研究结果表明,在高于1.33×10-2Pa的真空度下、采用曝光机内部曝光的方式,电子束曝光机所提供的电子束的能量和剂量可以满足环氧618等液体抗蚀剂固化需求的结论;并采用SDS II型曝光机在5×10-3Pa的系统真空度、25 kV加速电压、3μC/cm2曝光剂量的条件下,成功地固化了3μm厚的环氧618液体,固化的图形结构与设计的图形基本一致,固化精度约为0.1μm,侧壁的陡直度较好。证明了细电子束液态曝光技术是可行的。电子束液态曝光技术具有可加工高精度、高分辨率、任意高深宽比三维微结构以及控制灵活等优势,但由于使用束斑为几个纳米的电子束来固化抗蚀剂,因而其最大缺点就是生产效率低,故该技术最适用于制作三维微结构模板。

关 键 词:MEMS  电子束  曝光  抗蚀剂
文章编号:1006-9798(2005)04-0034-06
修稿时间:2005-06-14

Study of Narrow Electron-Beam Liquid Lithography for MEMS
KONG Xiang-dong,ZHANG Yu-lin,LU Wen-juan. Study of Narrow Electron-Beam Liquid Lithography for MEMS[J]. Journal of Qingdao University(Engineering & Technology Edition), 2005, 20(4): 34-39
Authors:KONG Xiang-dong  ZHANG Yu-lin  LU Wen-juan
Affiliation:KONG Xiang-dong~
Abstract:
Keywords:MEMS  electron beam  exposure  resist
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