无定形硅的N型掺杂与P型掺杂

本文描述了a—si的掺杂过程,并成功地获得了N型a—si和P—型a—si膜,它们的电阻率分别达到1.1×10~2Ω—cm和5.9×10~2Ω—cm。测得了暗电导σ_D与r(r为磷掺杂或硼掺杂的百分数)的关系;σ_D与衬底温度T_S的关系;以及它们的电导激活能。对于N型a—si,E_C-E_F≈0.17ev;对于P型a—si,得到了两个激活能,分别是0.24ev和0.13ev。另外,对掺杂a—si也进行了红外吸收和透过率测量。并对结果作了初步分析。