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一种用于MEMS电场传感器的CMOS可控增益前置放大电路
引用本文:崔国平,杨海钢,夏善红,尹韬,李策. 一种用于MEMS电场传感器的CMOS可控增益前置放大电路[J]. 电子器件, 2007, 30(3): 837-840
作者姓名:崔国平  杨海钢  夏善红  尹韬  李策
作者单位:中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100080;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100080
摘    要:为了将基于MEMS技术的微型电场传感器与其信号处理电路集成在一个芯片上,设计了一种CMOS前置放大电路.该电路利用工作在线性区的长沟道MOSFET晶体管代替传统的无源器件做反馈来降低所占硅片面积,使用分流原理构建分流网络产生可编程的偏置电流来控制放大电路的增益.仿真结果表明该电路结构具有较好的线性度和很好的温度特性,长沟道晶体管的等效电阻与偏置电流相关,可以达到兆欧量级.

关 键 词:CMOS  可控增益  长沟道晶体管  MEMS电场传感器  前置放大
文章编号:1005-9490(2007)03-0837-04
修稿时间:2006-06-27

A CMOS Preamplifier Circuit with Programmable Gain Control for a MEMS-Based Electrostatic Field Sensor
CUI Guo-ping,YANG Hai-gang,XIA Shan-hong,YIN Tao,LI Ce. A CMOS Preamplifier Circuit with Programmable Gain Control for a MEMS-Based Electrostatic Field Sensor[J]. Journal of Electron Devices, 2007, 30(3): 837-840
Authors:CUI Guo-ping  YANG Hai-gang  XIA Shan-hong  YIN Tao  LI Ce
Affiliation:1. The State Key Laboratory of Transducer Technology, Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China, ; 2. Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China
Abstract:
Keywords:CMOS   programmable gain   long channel MOSFET   MEMS-based electrostatic field sensor   preamplification
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