| 分子束外延生长硅薄膜缺陷性质的单能慢正电子束研究 |
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| 引用本文： | 周先意,朱凯,张天昊,杜江峰,叶邦角,周永钊,韩荣典.分子束外延生长硅薄膜缺陷性质的单能慢正电子束研究[J].核技术,2000,23(2):69-73. |
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| 作者姓名： | 周先意 朱凯 张天昊 杜江峰 叶邦角 周永钊 韩荣典 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学,合肥,230026;中国科学院国际材料物理中心,沈阳,110015
2. 中国科学技术大学,合肥,230026 |
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| 基金项目： | 教育部留学基金，中国科学院院长基金，中国科学院资助项目，19745002;18775050，，19745002;18775050，，， |
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| 摘 要： | 用慢正电子束流作为探针，测量了不同温度下用分子束外延生长的硅薄膜的正电子湮没Ｓ参数，讨论了外延层质量与生长温度及膜层厚度的关系，所得结论为：对于几百纳米厚度的分子束外延生长层，５００℃左右是一个比较合适的生长温度范围。温度过低，膜中将会含有大量的空位型缺陷；温度太高，杂质在材料中会有明显的扩散行为，对产品性能发生较大影响。
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| 关 键 词： | 分子束外延硅 缺陷 无损检测 慢正电子束 硅薄膜 |
Investigation of defects of molecular beam epitaxial Si by slow positron beam |
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| ZHOU Xianyi,ZHU Kai,ZHANG Tianhao,DU Jiangfeng,YE Bangjiao,ZHOU Yongzhao,HAN Rongdian.Investigation of defects of molecular beam epitaxial Si by slow positron beam[J].Nuclear Techniques,2000,23(2):69-73. |
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| Authors: | ZHOU Xianyi ZHU Kai ZHANG Tianhao DU Jiangfeng YE Bangjiao ZHOU Yongzhao HAN Rongdian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Molecular beam epitaxial Si Defect Slow positron S parameter |
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