| 半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器 |
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| 作者姓名： | 许国阳 颜学进 朱洪亮 段俐宏 周帆 田慧良 白云霞 王圩 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺研究中心!北京100083，中国科学院半导体研究所国家光电子工艺研究中心!北京100083，中国科学院半导体研究所国家光电子工艺研究中心!北京100083，中国科学院半导体研究所国家光电子工艺研究中心!北京100083，中国科学院半导体研究所国家光电 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);863-307-04-02-(01; |
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| 摘 要： | 研究了低压ＭＯＣＶＤ下生长压力和Ｆｅ源／Ｉｎ源摩尔流量比对半绝缘ＩｎＰ电阻率的影响．得到了用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长掺Ｆｅ半绝缘ＩｎＰ的优化生长条件．在优化生长条件下得到的Ｆｅ－ＩｎＰ的电阻率为２．０×１０８Ω·ｃｍ，击穿电场４×１０４Ｖ／ｃｍ．用半绝缘Ｆｅ－ＩｎＰ掩埋１．５５μｍ多量子阱激光器，激光器的高频调制特性明显优于反向ｐｎ结掩埋的激光器，３ｄＢ调制带宽达４．８ＧＨｚ．
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| 关 键 词： | 激光器 InP 优化生长 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)02-0188-04 |
| 修稿时间： | 1998-10-21 |
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