半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器 |
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作者姓名: | 许国阳 颜学进 朱洪亮 段俐宏 周帆 田慧良 白云霞 王圩 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺研究中心!北京100083,中国科学院半导体研究所国家光电子工艺研究中心!北京100083,中国科学院半导体研究所国家光电子工艺研究中心!北京100083,中国科学院半导体研究所国家光电子工艺研究中心!北京100083,中国科学院半导体研究所国家光电 |
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基金项目: | 国家高技术研究发展计划(863计划);863-307-04-02-(01; |
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摘 要: | 研究了低压MOCVD下生长压力和Fe源/In源摩尔流量比对半绝缘InP电阻率的影响.得到了用LP-MOCVD生长掺Fe半绝缘InP的优化生长条件.在优化生长条件下得到的Fe-InP的电阻率为2.0×108Ω·cm,击穿电场4×104V/cm.用半绝缘Fe-InP掩埋1.55μm多量子阱激光器,激光器的高频调制特性明显优于反向pn结掩埋的激光器,3dB调制带宽达4.8GHz.
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关 键 词: | 激光器 InP 优化生长 |
文章编号: | 0253-4177(2000)02-0188-04 |
修稿时间: | 1998-10-21 |
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