| 一种制作亚微米间隔的方法 |
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| 引用本文： | 谢可勋,蒋建飞,谢缨. 一种制作亚微米间隔的方法[J]. 半导体学报, 1989, 10(7): 525-528 |
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| 作者姓名： | 谢可勋 蒋建飞 谢缨 |
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| 作者单位： | 上海交通大学微电子技术研究所 上海(谢可勋，蒋建飞)，上海交通大学微电子技术研究所 上海(谢缨) |
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| 摘 要： | 本文研究了利用光刻图形转移过程中,湿法化学刻蚀存在的侧向钻蚀,通过对钻蚀程度的控制获得小于0.5μm的线条间隔.
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| 关 键 词： | 亚微米技术 化学刻蚀 约瑟夫逊结 |
Method for Fabricating Submicron Spaces |
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| Xie Kexun/Microelectronics Technical Institute,Shanghai Jiao Tong UniversityJiang Jianfei/Microelectronics Technical Institute,Shanghai Jiao Tong UniversityXie Ying/Microelectronics Technical Institute,Shanghai Jiao Tong University. Method for Fabricating Submicron Spaces[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1989, 10(7): 525-528 |
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| Authors: | Xie Kexun/Microelectronics Technical Institute Shanghai Jiao Tong UniversityJiang Jianfei/Microelectronics Technical Institute Shanghai Jiao Tong UniversityXie Ying/Microelectronics Technical Institute Shanghai Jiao Tong University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Submicron technique Chemical etching Josephon junction |
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