| 4.5 kV非对称GCT阻断电压失效分析 |
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| 引用本文： | 王政英,操国宏,王东东,高军. 4.5 kV非对称GCT阻断电压失效分析[J]. 电力电子技术, 2021, 55(2): 134-136. DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2021.02.035 |
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| 作者姓名： | 王政英 操国宏 王东东 高军 |
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| 作者单位： | 新型功率半导体器件国家重点实验室,湖南株洲412000;株洲中车时代半导体有限公司,湖南株洲412000 |
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| 摘 要： | 介绍了4.5 kV非对称门极换流晶闸管(GCT)阻断电压失效现象,并进行分析.通过对GCT工艺流程的梳理,找到了GCT阻断电压失效的原因.制造过程中,铝扩散工艺中受到污染导致了少子寿命的大幅降低,从而造成GCT漏电流过大的特性.最终通过在铝氧化推进工艺中引入二氯乙烯(DCE)清洗或在铝扩散后增加磷吸收工艺,解决了GCT...
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| 关 键 词： | 门极换流晶闸管 非对称 阻断电压 少子寿命 |
Blocking Voltage Failure Analysis of 4.5 kV Asymmetrical GCT |
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| WANG Zheng-ying,CAO Guo-hong,WANG Dong-dong,GAO Jun. Blocking Voltage Failure Analysis of 4.5 kV Asymmetrical GCT[J]. Power Electronics, 2021, 55(2): 134-136. DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2021.02.035 |
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| Authors: | WANG Zheng-ying CAO Guo-hong WANG Dong-dong GAO Jun |
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