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晶闸管反向恢复特性研究及器件优化
引用本文:高军,操国宏,银登杰,刘嘉奇.晶闸管反向恢复特性研究及器件优化[J].电力电子技术,2021,55(3):135-137.
作者姓名:高军  操国宏  银登杰  刘嘉奇
作者单位:新型功率半导体国家重点实验室,湖南株洲412001;株洲中车时代半导体有限公司,湖南株洲412001;株洲中车时代半导体有限公司,湖南株洲412001
摘    要:随着大功率晶闸管逐步应用到超工频、高脉冲等工况,器件的反向恢复过程失效成为突出问题.在此使用SILVACO TCAD仿真软件进行反向恢复过程机理和晶闸管结构的关系探讨.通过调整掺杂浓度和区域形成深阱结构,实现了器件的通态损耗和恢复功率均衡,及反向恢复特性优化.并针对改进结构器件进行对比测试,改进后的器件具有很好的软度因子、更短的反向恢复时间、更小的反向恢复电流以及更小的恢复损耗.

关 键 词:晶闸管  反向恢复  恢复功率

Research and Device Optimization on Reverse Recovery Characteristics of Thyristors
GAO Jun,CAO Guo-hong,YIN Deng-jie,LIU Jia-qi.Research and Device Optimization on Reverse Recovery Characteristics of Thyristors[J].Power Electronics,2021,55(3):135-137.
Authors:GAO Jun  CAO Guo-hong  YIN Deng-jie  LIU Jia-qi
Abstract:
Keywords:
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