不同基底对退火制备Ni纳米岛掩模形貌的影响

目前,刻蚀自组装在GaN薄膜上Ni纳米岛的掩模的方法是制备GaN纳米柱阵列常用手段。但是,这将对后续制备出的纳米柱产生Ni污染。除此之外,直接将GaN系的材料暴露在高温下进行Ni纳米岛掩模的制备,会对GaN材料表面产生一定的热腐蚀损伤。因此,以GaN、SiO_2、Al_2O_3和SixNy分别为基底,对退火自组装在这4种基底上的Ni纳米岛形貌进行了较为系统的研究。发现850℃的退火温度下,Al_2O_3基底上Ni薄膜形成的纳米岛的形貌最为规整,为最优化衬底。