|
|||||
|
|
| 氢等离子体原位清洁硅衬底表面 | |
| 引用本文： | 沈复初,叶必光,陈坚,龚晨光.氢等离子体原位清洁硅衬底表面[J].半导体学报,1991,12(9):536-541. |
| 作者姓名： | 沈复初 叶必光 陈坚 龚晨光 |
| 作者单位： | 浙江大学半导体材料研究所 杭州310027 (沈复初，叶必光，陈坚)，浙江大学半导体材料研究所 杭州310027(龚晨光) |
| 摘 要： | 本文研究了在用氢等离子体原位清洁硅片表面过程中,衬底温度,等离子体能量,处理时间及退火工艺对衬底表面清洁及晶格损伤的影响.实验结果表明,较高的衬底温度,较低的等离子能量有利于得到高度清洁、晶格损伤可恢复完整的硅表面.衬底温度为室温时的等离子体处理对硅表面会引入不可恢复的永久性损伤(缺陷);等离子体处理后的退火对于恢复晶格完整是极其必要的.完善的等离子体清洁处理之后,在1000℃下利用硅烷减压外延生长的外延层中,层错密度和位错密度分别小于50个/厘米~2和 1×10~3个/厘米~2. |
| 关 键 词： | 衬底表面 氢等离子体 清洁 硅片 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |