| 窄禁带半导体的自由载流子吸收 |
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| 作者姓名： | Bely. AE |
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| 作者单位： | Institute of Semiconductors，Academy of Sciences of the Ukrainian SSR，Institute of Semiconductors，Academy of Sciences of the Ukrainian SSR，Institute of Physics，Academy of Sciences of the Ukranian SSR Prospect Nauki 45，Kiev-28 252650 USSR，Prospect Nauki 45，Kiev-28 252650 USSR，Prospect Nauki 46，Kiev-28 252028 USSR |
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| 摘 要： | 从理论和实验上研究了77K和300K温度下,本征型半导体InSb,Hg_(1-x)Cd_xTe,Hg_(1-x)Mn_xTe和高掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe在2.5～50μm波段范围内的自由载流子吸收,结果表明:对于所研究的三种本征型样品,均是极性光学声子散射起主要作用,对于InSb还应考虑声学声子和电离杂质散射。对有缺陷的Hg_(1-x)Mn_xTe样品,理论计算的自由载流子吸收系数与实验值不一致,表明存在附加的散射机制,对高掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe的研究证实了这一假设。还讨论了非弹性电子-声子散射机制的起因,估算了特性参数。
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| 关 键 词： | 窄禁带 半导体 自由载流子 |
FREE CARRIER ABSORPTION IN NARROW-GAP SEMICONDUCTORS |
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| Bely.,AE.FREE CARRIER ABSORPTION IN NARROW-GAP SEMICONDUCTORS[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,1991,10(4):241-245. |
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| Authors: | A E BELYAEV N V SHEVCHENKO |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | narrow band gap semiconductors free carrier absorption scattering |
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