| 10cm VGF法GaAs单晶生长过程中热应力的数值模拟 |
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| 引用本文： | 涂凡,苏小平,屠海令,张峰燚,丁国强,王思爱.10cm VGF法GaAs单晶生长过程中热应力的数值模拟[J].红外与激光工程,2010,39(3). |
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| 作者姓名： | 涂凡 苏小平 屠海令 张峰燚 丁国强 王思爱 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院,北京国晶辉红外光学科技公司,北京,100088 |
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| 基金项目： | 国家863计划资助项目 |
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| 摘 要： | 采用数值模拟技术模拟了10cm(4 in)VOF法GaAs单晶生长过程中的温场分布、固液界面形貌以及热应力分布.推导得到了固液界面形状与轴向温度梯度和径向温度梯度之间的关系,定义了一个固液界面形状函数,用以表征固液界面偏离度.固液界面偏离度可定义为晶体边缘和晶体中心轴向位置的差值.计算得到固液界面凹(凸)度的临界值,小于该值时,固液界面附近的热应力低于临界分解剪切应力(CRSS).模拟计算了两个时刻的晶体中的热应力分布:当偏离度大于临界值时,晶体中的热应力大于CRSS,反之,晶体中的热应力小于CRSS,验证了理论推导的结果.
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| 关 键 词： | 数值模拟 固液界面 热应力 临界剪切应力 |
Numerical simulation technology studing thermal stress in the 10 cm VGF-GaAs single crystal growth |
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| TU Fan,SU Xiao-ping,TU Hai-ling,ZHANG Feng-yi,DING Guo-qiang,WANG Si-ai.Numerical simulation technology studing thermal stress in the 10 cm VGF-GaAs single crystal growth[J].Infrared and Laser Engineering,2010,39(3). |
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| Authors: | TU Fan SU Xiao-ping TU Hai-ling ZHANG Feng-yi DING Guo-qiang WANG Si-ai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | VGF GaAs |
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