| BN-303光刻胶前烘工艺对MEMS三维结构的影响 |
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| 引用本文： | 蒋玉荣,何永,李志伟,周建,欧阳世翕.BN-303光刻胶前烘工艺对MEMS三维结构的影响[J].武汉理工大学学报,2007,29(5):5-6,37. |
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| 作者姓名： | 蒋玉荣 何永 李志伟 周建 欧阳世翕 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070 |
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| 基金项目： | 教育部科学技术研究重点项目 |
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| 摘 要： | 利用传统紫外光曝光方式,通过扫描电镜观察了刻蚀后样品的表面形貌,定性地讨论前烘工艺对MEMS三维结构的影响。得到优化的工艺为：在对氧化后的硅片进行标准清洗,烘箱温度200℃活化表面30 min。涂胶旋转速度600 r/min,旋转15s,曝光时间为17 s的条件下,最佳前烘温度为80℃,时间为30 min。研究结果为微器件的制造提供了一些可靠的工艺参数。
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| 关 键 词： | 光刻 BN-303光刻胶 前烘 显影 |
| 文章编号： | 1671-4431（2007）05-0005-02 |
| 修稿时间： | 2007-01-15 |
Effect of Soft-baking of BN-303 Photo-resist on 3D Structure of MEMS in Micro-fabrication |
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| JIANG Yu-rong,HE Yong,LI Zhi-wei,ZHOU Jian,OUYANG Shi-xi.Effect of Soft-baking of BN-303 Photo-resist on 3D Structure of MEMS in Micro-fabrication[J].Journal of Wuhan University of Technology,2007,29(5):5-6,37. |
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| Authors: | JIANG Yu-rong HE Yong LI Zhi-wei ZHOU Jian OUYANG Shi-xi |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photo-graphy BN-303 photo-resist soft-baking development |
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