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受激光辐照而局部晶化的新型多晶硅TFT
作者姓名:
刘镇国
摘 要:
提出一种新型多晶硅TFT结构,它在沟道中设置了高阻的非晶硅区,从而有效地减小了漏电流。这种新器件的有源层被局部晶化,而沟道区中与源极相邻的两个边界层未被晶化,保持非晶硅态。
关 键 词:
局部晶化 多晶硅TFT 薄膜晶体管
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