用一次扩散获得不同硼杂质浓度和结深的研究

本文提出一种用一次扩散获得不同硼杂质浓度和结深的器件制造方法,它是利用高浓硼杂质穿透二氧化硅层的选择扩散来实现的。采用这一方法,既能保证平面晶体管本征基区所要求的杂质总量和结深,又可同时制得杂质总量和结深均较大的非本征基区,有利于避免表面沟道效应,减小基区电阻以及减弱基区下陷效应的影响,从而改善分立器件和集成电路的性能。此外,在集成电路中采用类似的方法,还可以同时获得不同β的晶体管和方块电阻不同的硼扩散电阻器,从而增加了集成电路设计的灵活性。