| 弯波导吸收区结构1．3μm InGaAsP／InP超辐射发光二极管的设计 |
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| 引用本文： | 马东阁,石家纬,陈维友,刘明大,高鼎三.弯波导吸收区结构1．3μm InGaAsP／InP超辐射发光二极管的设计[J].激光与红外,1994(1). |
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| 作者姓名： | 马东阁 石家纬 陈维友 刘明大 高鼎三 |
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| 作者单位： | 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，吉林大学电子工程系 |
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| 摘 要： | 本文用束传播方法（ＢＰＭ）设计了具有弯曲波导吸收区结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管（ＳＬＤ），分析了不同吸收区长度Ｌａ和弯曲的曲率半径Ｒ对ＳＬＤ特性的影响，给出了直观的结果，并进行了优化设计。在假定吸收区后端面反射率为１，和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下，取ｄ＝０．２μｍ，ｗ＝２μｍ，Ｌｐ＝４００μｍ，Ｌａ＝２００μｍ，Ｒ＝５００μｍ，Ｉ＝２００ｍＡ，经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入射光的强度比率仅为９．５×１０－３。
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| 关 键 词： | 超辐射发光二极管（SLD），束传播方法（BPM） |
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