SiO_2原位诱导/硅烷修饰全棉网孔水刺材料疏水改性研究

为实现全棉网孔水刺材料更广泛应用于卫生护理领域,在全棉网孔水刺材料上进行SiO_2原位诱导生长形成多级微纳米结构,并与十六烷基三甲氧基硅烷协同构建材料疏水性能。利用正交试验设计与静态接触角参数确定最佳疏水整理工艺为:以0.4 mol/L正硅酸四乙酯,原位生长20 min,再用十六烷基三甲氧基硅烷乙醇水解液处理9 h,改性全棉网孔水刺材料接触角达到140.7°。后借助场发射扫描电镜、傅里叶变化红外光谱、热重分析仪等对最佳工艺处理材料各阶段进行表征与分析。经最佳工艺处理后,材料表面构建多级微纳米SiO_2结构与被低表面能硅烷所修饰,二者协同提升材料疏水性能,可为全棉水刺医用敷料接触层开发提供参考。