|
|||||
|
|
| 高纯度砷化镓残留受主BA、DA峰的电子声子耦合 | |
| 引用本文： | 陈廷杰,吴灵犀,徐寿定,孟庆惠,于鲲,李永康.高纯度砷化镓残留受主BA、DA峰的电子声子耦合[J].半导体学报,1982,3(3):169-174. |
| 作者姓名： | 陈廷杰 吴灵犀 徐寿定 孟庆惠 于鲲 李永康 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (陈廷杰，吴灵犀，徐寿定)，中国科学院物理研究所 (孟庆惠，于鲲)，中国科学院物理研究所(李永康) |
| 摘 要： | 研究了高纯度LPE-GaAs和VPE-GaAs 在4.2K的光致发光谱.观测到1.44—1.46eV范围内有若干发射峰,它们是残留受主的BA、DA峰的一级声子伴线.由光致发光谱测定了GaAs中纵光学声子能量约为36meV.用一级声子线强度与零级声子线强度之比值定出了C_(As)、Si_(As)和Ge_(As)的s值.实验结果表明在高纯度GaAs中,对于同一种受主杂质,BA峰的s值大于DA峰的s值. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |