1.55 μm短腔垂直腔面发射激光器的优化设计 |
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作者姓名: | 王志燕 贾护军 毛周 李泳锦 成涛 裴晓延 孙哲霖 |
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作者单位: | 西安电子科技大学 微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071;西安电子科技大学 微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071;西安电子科技大学 微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071;西安电子科技大学 微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071;西安电子科技大学 微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071;西安电子科技大学 微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071;西安电子科技大学 微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071 |
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基金项目: | 国家部委基金项目(51323030306). |
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摘 要: | 设计了一种基于InP衬底的1.55μm短腔垂直腔面发射激光器(VCSEL),先从结构上对上下反射镜进行了优化设计,然后重点对谐振腔的腔长进行了优化,采用1λ短腔结构,用Matlab软件进行了仿真,结果表明:优化后的VCSEL器件的输出功率为2.22mW,饱和松弛响应频率fR,sat为34.5GHz,最大-3dB带宽为30.5GHz,与目前此波段的最大带宽(19GHz)相比,提高了约60%。
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关 键 词: | 垂直腔面发射激光器 分布布拉格反射镜 谐振腔 -dB带宽 |
收稿时间: | 2013-06-04 |
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