| 典型纳米结构制备及其测量表征 |
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| 引用本文： | 蒋庄德,王琛英,杨树明.典型纳米结构制备及其测量表征[J].中国工程科学,2013,15(1):15-20. |
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| 作者姓名： | 蒋庄德 王琛英 杨树明 |
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| 作者单位： | 1.西安交通大学机械工程学院，西安 710049；2.西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室，西安 710049;1.西安交通大学机械工程学院，西安 710049；2.西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室，西安 710049;1.西安交通大学机械工程学院，西安 710049；2.西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室，西安 710049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重大研究计划重点支持项目（90923001）；教育部科学技术研究重大计划项目（311001）；高等学校学科创新引智计划项目（B12016） |
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| 摘 要： | 针对纳米器件中的典型几何特征,制备了3种纳米结构,采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测量工具对所制备的纳米样板进行了测量、分析和表征。提出转换薄膜厚度为线宽的公称值、基于多层薄膜淀积技术制备纳米宽度结构的方法,制备出了具有名义线宽尺寸分别为20 nm、25 nm、35 nm的纳米栅线结构。用离线的图像分析算法对所制备的纳米线宽样板的线边缘粗糙度/线宽粗糙度(LER/LWR)以及栅线线宽的一致性进行了评估。实验表明所制备纳米线宽样板的栅线具有较好的一致性,LER/LWR值小,且具有垂直的侧壁。采用电子束直写技术(EBL)和感应耦合等离子体刻蚀(ICP)制备了名义高度为220 nm的硅台阶样板。实验表明刻蚀后栅线边缘LER/LWR的高频成分减少,相关长度变长,均方根偏差值(σ)增大。采用聚焦离子束(FIB)制备了纳米单台阶和多台阶结构,并对Z方向的尺度与加工能量之间的关系进行了分析。
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| 关 键 词： | 纳米栅线 纳米台阶 EBL ICP FIB |
| 收稿时间： | 7/9/2012 12:00:00 AM |
| 修稿时间： | 2012/10/10 0:00:00 |
Fabrication and characterization of typical
nano-scale structures |
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| Jiang Zhuangde,Wang Chenying and Yang Shuming.Fabrication and characterization of typical
nano-scale structures[J].Engineering Science,2013,15(1):15-20. |
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| Authors: | Jiang Zhuangde Wang Chenying and Yang Shuming |
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| Affiliation: | 1,2(1.School of Mechanical Engineening,Xi’an Jiaotong University,Xi’an 710049,China;2.State Key Laboratory for Manufacturing Systems Engineering,Xi’an Jiaotong University,Xi’an 710049,China) |
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