| 隧道二极管用锗单晶制备的温场设计 |
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| 引用本文： | 韩兆忠,胡国元,褚乃林,杨海.隧道二极管用锗单晶制备的温场设计[J].稀有金属,1998,22(2):120-122. |
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| 作者姓名： | 韩兆忠 胡国元 褚乃林 杨海 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院,北京100088 |
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| 摘 要： | 通过设计合适的温场，解决了重掺单晶生长过程中的组分过冷和位错密度高的问题，获得了高掺杂浓度高迁移率的无位错单晶。
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| 关 键 词： | 温场 锗 单晶 重掺 |
Temperature Profile Design for Ga Heavily-doped GeSingle Crystal Growth |
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| Han Zhaozhong,Hu Guoyuan,Chu Nailin,Yang Hai.Temperature Profile Design for Ga Heavily-doped GeSingle Crystal Growth[J].Chinese Journal of Rare Metals,1998,22(2):120-122. |
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| Authors: | Han Zhaozhong Hu Guoyuan Chu Nailin Yang Hai |
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