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| 半导体材料的发展现状 | |
| 引用本文： | 凌玲.半导体材料的发展现状[J].新材料产业,2003(6):6-10. |
| 作者姓名： | 凌玲 |
| 作者单位： | 北京新材料发展中心 北京，100083 |
| 摘 要： | 在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料；将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材料；而将宽禁带(Eg＞2．3eV)的氮化镓、碳化硅和金刚石等称为第三代半导体材料。本文介绍了三代半导体的性质比较、应用领域、国内外产业化现状和进展情况等。 |
| 关 键 词： | 半导体材料 发展现状 多晶硅 单晶硅 砷化镓 氮化镓 |
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