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| GaAs单晶生长工艺的发展状况 | |
| 引用本文： | 蒋荣华,肖顺珍. GaAs单晶生长工艺的发展状况[J]. 光机电信息, 2003, 0(7): 11-17 |
| 作者姓名： | 蒋荣华 肖顺珍 |
| 作者单位： | 峨眉半导体材料研究所,四川,峨眉山,614200 |
| 摘 要： | 综述了几种较为成功的适合于工业化大规模生长及科研应用的GaAs材料的生长工艺，如液封直拉法、水平布里支曼法、垂直梯度凝固法／垂直布里支曼法和蒸气压控制直拉法。对比分析了几种GaAs晶体生长工艺的优缺点，并介绍了各种器件和电路对GaAs单晶材料的要求。列举了GaAs单晶生长中有待解决的问题：热对流与残余热应力问题；位错和亚结构问题；与晶体生长相关的化学计量问题，此外还介绍了我国GaAs材料的发展状况。 |
| 关 键 词： | 砷化镓 单晶 晶体生长 半导体材料 液封直拉法 水平布里支曼法 蒸气压控制直拉法 |
Development of GaAs single-crystal growth technology |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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