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氟化物激光晶体Nd3+:LiYF4的坩埚下降法生长
引用本文:陈红兵,范世Ji,徐家跃,费一汀,孙仁英.氟化物激光晶体Nd3+:LiYF4的坩埚下降法生长[J].无机材料学报,2000,15(5):917-920.
作者姓名:陈红兵  范世Ji  徐家跃  费一汀  孙仁英
作者单位:陈红兵(中国科学院上海硅酸盐研究所 上海200050);范世(中国科学院上海硅酸盐研究所 上海200050);徐家跃(中国科学院上海硅酸盐研究所 上海200050);费一汀(中国科学院上海硅酸盐研究所 上海200050);孙仁英(中国科学院上海硅酸盐研究所 上海200050)
基金项目:国家自然科学基金资助(59672002)
摘    要:本文报道了氟化物激光晶体Nd^3+:LiYF4的坩埚埚下降法生长工艺,采用经氟化处理的无水氟化物原料,按照LiF:YF3=515:48.5的比例配料,控制炉体温度于920-960℃,晶体生长速度为0.4-0.8mm/h,通过密闭条件下的坩埚下降法生长出尺寸为φ25mm*80mm的完整单晶。

关 键 词:激光晶体  氟化钇锂  坩埚下降法  氟化物  掺钕
文章编号:1000-324X(2000)05-0917-04
收稿时间:1999-10-21
修稿时间:1999年10月21

Growth of Fluoride Laser Crystal Nd3+:LiYF4 by Bridgman Method
CHEN Hong-Bing,FAN Shi-Ji,XU Jia-Yue,FEI Yi-Ting,SUN Ren-Ying.Growth of Fluoride Laser Crystal Nd3+:LiYF4 by Bridgman Method[J].Journal of Inorganic Materials,2000,15(5):917-920.
Authors:CHEN Hong-Bing  FAN Shi-Ji  XU Jia-Yue  FEI Yi-Ting  SUN Ren-Ying
Affiliation:ShanghaiInstituteofCeramics;ChineseAcademyofSciences;Shanghai200050;China
Abstract:
Keywords:laser crystal  LYF  fluoridation  crystal growth  Bridgman method
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