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低电压Charge-Recovery逻辑电路的设计
引用本文:李晓民,仇玉林,陈潮枢. 低电压Charge-Recovery逻辑电路的设计[J]. 半导体学报, 2001, 22(10): 1352-1356
作者姓名:李晓民  仇玉林  陈潮枢
作者单位:中国科学院微电子中心,北京100029
基金项目:国家自然科学基金;69976035;
摘    要:提出了一种新的适用于低电压工作的 sem i- adiabatic逻辑电路—— Dual- Swing Charge- Recovery L ogic(DSCRL) .该电路由 CMOS- latch- type电路及负载驱动电路构成 ,对负载的驱动为 full- adiabatic过程 .DSCRL 的电源为六相双峰值脉冲电源 ,低摆幅脉冲用于驱动负载 ,高摆幅脉冲用于驱动 CMOS- latch- type电路 .降低负载上摆幅时驱动负载的 NMOS管的栅压可以保持不变 ,有效地解决了传统的 adiabatic电路在低电压工作时 charge- re-covery效率降低的问题 .文中比较了 DSCRL 电路与部分文献中的 semi- adiabatic电路的功耗 ,DSCRL 在低电压工作方面

关 键 词:逻辑电路   电荷恢复逻辑
文章编号:0253-4177(2001)10-1352-05
修稿时间:2000-12-06

Design of Low Voltage Charge-Recovery Logic Circuit
LI Xiao min,QIU Yu lin and CHEN Chao shu. Design of Low Voltage Charge-Recovery Logic Circuit[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 22(10): 1352-1356
Authors:LI Xiao min  QIU Yu lin  CHEN Chao shu
Abstract:A new Dual Swing Charge Recovery Logic (DSCRL) that is suitable for the low voltage operation is presented.DSCRL is composed of a CMOS latch type circuit and output driven transistors.The operation on output loads is a full adiabatic process.Six phase dual swing power clock is used to drive DSCRL,with the low swing power clock for the loads while the high for the CMOS latch type circuit.When our cutting down the output swing,the gate voltage of output driven transistors keep relatively high to guarantee an efficient charge recovery operation.
Keywords:logic circuit  charge recovery logic
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