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SnO2-Ag-SnO2结构元件室温下对H2S的敏感特性研究
引用本文:李莉,童茂松,翁爱华. SnO2-Ag-SnO2结构元件室温下对H2S的敏感特性研究[J]. 传感技术学报, 2006, 19(4): 950-952
作者姓名:李莉  童茂松  翁爱华
作者单位:大庆石油学院化学化工学院,黑龙江,大庆,163318;大庆石油管理局测井公司研发中心,黑龙江,大庆,163412;吉林大学地球探测科学与技术学院,吉林,长春,130026
摘    要:以SnCl4和O2为源物质,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)和浸渍法掺Ag技术制备了SnO2-Ag-SnO2结构薄膜,在20℃下该结构薄膜对H2S具有良好的气敏特性,即高灵敏度、良好的选择特性和开关式响应特性.

关 键 词:PECVD  H2S气体传感器  气敏特性
文章编号:1004-1699(2006)04-0950-03
收稿时间:2005-10-31
修稿时间:2005-10-31

Gas Sensitive properties of SnO2-Ag-SnO2 element to H2S at room temperature
LI Li,TONG Mao-song,WENG Ai-hua. Gas Sensitive properties of SnO2-Ag-SnO2 element to H2S at room temperature[J]. Journal of Transduction Technology, 2006, 19(4): 950-952
Authors:LI Li  TONG Mao-song  WENG Ai-hua
Affiliation:1 School of Chemistry and Chemical Engineering, Da Qing Petroleum Institute2 R&D Center of Well Logging Company, Daqing Petroleum Administrative Bureau3 College of GeoExploration Science and Technology, Jilin University
Abstract:
Keywords:PECVD
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