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CMOS射频集成电路中器件模型的研究
引用本文:
施超,庄奕琪. CMOS射频集成电路中器件模型的研究[J]. 微电子学, 2002, 32(6): 405-408
作者姓名:
施超
庄奕琪
作者单位:
西安电子科技大学微电子所,陕西,西安,710071
摘 要:
采用硅材料CMOS工艺制造的射频集成电路具有低功耗、低成本和容易集成的优点.文章讨论了CMOS射频集成电路设计和制造中起关键作用的MOSFET高频模型和螺旋电感模型.为了验证模型,介绍了射频集成电路中的核心模块-低噪声放大器(LNA)-的设计实例.测试结果表明,该模型具有高效、实用的特点.
关 键 词:
CMOS
射频集成电路
高频模型
螺旋电感
低噪声放大器
文章编号:
1004-3365(2002)06-0405-04
修稿时间:
2001-12-24
Research of Device Modeling in CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits
Abstract:
Keywords:
CMOS
Radio-frequency IC
High-frequency model
Spiral inductor
Low noise amplifier(LNA)
本文献已被
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