| 水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长 |
| |
| 引用本文： | 孟兆祥,于广辉,叶好华,雷本亮,李存才,齐鸣,李爱珍. 水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长[J]. 功能材料与器件学报, 2003, 9(4): 469-472 |
| |
| 作者姓名： | 孟兆祥 于广辉 叶好华 雷本亮 李存才 齐鸣 李爱珍 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
| |
| 基金项目： | 国家863项目(No.2001AA311100) |
| |
| 摘 要： | 建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型，研究了反应气体在反应室内的浓度场，讨论了反应室内GaCl和NH3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响，并对HVPE系统反应室的设计进行了优化。材料生长结果表明，厚度均匀性良好，直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660aresee。
|
| 关 键 词： | GaN HVPE 流体动力学 |
| 文章编号： | 1007-4252(2003)04-0469-04 |
| 修稿时间： | 2003-02-10 |
Simulation of gas flow in horizontal HVPE reactor and GaN growth |
| |
| MENG Zhao - xiang,YU Guang - hui,YE Hao - hua,LEI Ben - liang,LI Cun - cai,QI Min,LI Ai - zhen. Simulation of gas flow in horizontal HVPE reactor and GaN growth[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2003, 9(4): 469-472 |
| |
| Authors: | MENG Zhao - xiang YU Guang - hui YE Hao - hua LEI Ben - liang LI Cun - cai QI Min LI Ai - zhen |
| |
| Abstract: | Model of fluid dynamic for GaN HVPE system was setup, gas concentration in the reactor was simulated. Effect of GaCl and NH3 tube configuration inside the reactor on the gas concentration was discussed. Reactor configuration is optimized based on the simulation results. GaN epilayer is grown with good uniformity in thickness, the FWHM of rocking curve is 660arcsec. |
| |
| Keywords: | GaN HVPE fluid dynamic |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
