| 反应RF磁控溅射法制备非晶氧化硅薄膜及其特性研究 |
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| 引用本文： | 何乐年 何乐年 徐进 王德苗. 反应RF磁控溅射法制备非晶氧化硅薄膜及其特性研究[J]. 真空, 2001, 0(3): 16-19 |
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| 作者姓名： | 何乐年 何乐年 徐进 王德苗 |
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| 作者单位： | 何乐年（浙江大学信息与电子工程学系,浙江杭州 310027）;何乐年（中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室，上海200050）;徐进（浙江大学信息与电子工程学系, 浙江杭州 310027）;王德苗（浙江大学信息与电子工程学系, 浙江杭州 310027） |
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| 基金项目： | 中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究室开放课题 |
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| 摘 要： | 在氧气和氩气的混合气体中，在没有额外加热的条件下用反应射频（RF）溅射硅靶制备了非晶氧化硅(a-SiO
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| 关 键 词： | 反应RF磁控溅射；a-SiO |
| 文章编号： | 1002-0322(2001)03-0016-04 |
| 修稿时间： | 2001-03-04 |
Properties of amorphousSiO2 films prepared by reactive RF magnetron sputtering method |
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| HE Le-nian. Properties of amorphousSiO2 films prepared by reactive RF magnetron sputtering method[J]. Vacuum(China), 2001, 0(3): 16-19 |
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| Authors: | HE Le-nian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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