亚微米GaAsMESFET的跨导压缩

众所周知,GaAsMESFET的跨导压缩现象与栅金属、制作工艺和栅长有关。认为这种现象是由栅和漏之间裸露表面下的耗尽区引起的。基于此假设,提出了一种可以圆满地解释0.25μm栅长器件实验结果的新模型。