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| MOCVD生长GaAlAs／GaAs HBT材料的研究 | |
| 引用本文： | 关兴国,李景.MOCVD生长GaAlAs／GaAs HBT材料的研究[J].稀有金属,1993,17(6):417-419. |
| 作者姓名： | 关兴国 李景 |
| 作者单位： | 河北半导体研究所 050051 (关兴国，李景，章其麟)，河北半导体研究所 050051(任永一) |
| 摘 要： | 研究了ＭＯＣＶＤ法ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多层异质结材料的生长工艺。通过对材料的测试分析与器件研制，得出了ＧａＡｌＡｓ发射极的ＰＬ性质和多层材料的纵向浓度分布是ＨＢＴ材料的质量表征的结论，采用提高系统密封性和载气纯度、生长阻挡层等手段改善了材料质量，达到良好的器件特性。 |
| 关 键 词： | 复合材料 半导体材料 MOCVD法 |
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