| 应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱发光二极管结构优化研究 |
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| 引用本文： | 李为军,张波,徐文兰,陆卫. 应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱发光二极管结构优化研究[J]. 激光与红外, 2008, 38(10): 1023-1026 |
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| 作者姓名： | 李为军 张波 徐文兰 陆卫 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083
2. 华东师范大学信息科学技术学院,上海,200062 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目 |
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| 摘 要： | 薄的应力补偿层AlGaN的引进对InGaN量子阱结构的发光二极管输出功率和内量子效率的影响被详细考察.由理论模拟结果得知,不管是在低温还是高温,合适的应力补偿层引进都能极大改善LED器件输出功率和内量子效率.应力补偿层AlGaN的加入导致器件漏电流的降低被认为是器件效能提高的主要原因.定量优化AlGaN应力补偿层的厚度和其中Al的含量在这里也被探讨研究.计算结果表明,当应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱结构中AlGaN厚度为1nm,Al含量为0.25时,能够获得最大的发光功效和内量子效率.
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| 关 键 词： | 应力补偿型量子阱 发光二极管 数值模拟 |
Study on Structure Optimization of Strain-compensated InGaN-AlGaN Quantum Well Light-emitting Diode |
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| LI Wei-jun,ZHANG Bo,XU Wen-lan,LU Wei. Study on Structure Optimization of Strain-compensated InGaN-AlGaN Quantum Well Light-emitting Diode[J]. Laser & Infrared, 2008, 38(10): 1023-1026 |
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| Authors: | LI Wei-jun ZHANG Bo XU Wen-lan LU Wei |
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| Affiliation: | National Laboratory for Infrared Physics,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China;Department of Electronic Engineering,East China Normal University,Shanghai 200062,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaN |
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