| 非化学计量溶液区熔法生长大尺寸InSe晶体及表征（英文） |
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| 引用本文： | 金敏,马玉鹏,魏天然,林思琪,白旭东,史迅,刘学超.非化学计量溶液区熔法生长大尺寸InSe晶体及表征（英文）[J].无机材料学报,2024(5):554-560. |
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| 作者姓名： | 金敏 马玉鹏 魏天然 林思琪 白旭东 史迅 刘学超 |
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| 作者单位： | 1. 上海电机学院材料学院;2. 上海交通大学材料科学与工程学院;4. 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
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| 摘 要： | 硒化铟(InSe)是一种具有奇异物理性能的Ⅲ-Ⅵ族半导体材料,在光伏、光学、热电等领域有着广泛的应用潜力。由于InSe的非一致熔融特性及InSe、In6Se7和In4Se3之间复杂的包晶反应,制备大尺寸In Se晶体十分困难。本研究采用区熔法制备了InSe晶体,该方法具有成本低、固液界面优化等优点。基于In-Se体系的包晶反应,发现In与Se的初始物质的量比对InSe晶体生长非常重要,本工作使用精确非化学计量的In0.52Se0.48溶液生长晶体,使In Se晶体的获得率达到83%左右。实验最终获得了?27 mm×130 mm的晶棒,并成功剥离出尺寸?27 mm×50 mm的片状In Se单晶, XRD图谱中检测到(00l)衍射峰,说明晶体的质量良好。In Se晶体呈现六方结构,各元素在基体中均匀分布,在1800 nm波长下的透射率为～55.1%,带隙能量为～1.22 e V。在800 K下, In Se晶体沿(001)方向的最大电导率σ约为1.55×102 S·m–...
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| 关 键 词： | InSe晶体 区熔法 非化学计量 电导率 热导率 |
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