| 多晶硅TFT有源层晶粒间界的研究 |
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| 引用本文： | 陈飞,祁康成. 多晶硅TFT有源层晶粒间界的研究[J]. 现代显示, 2005, 0(9): 32-34,26 |
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| 作者姓名： | 陈飞 祁康成 |
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| 作者单位： | 中国电子科技大学光电信息学院,四川,成都,610054 |
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| 摘 要： | 由于多晶硅薄膜晶粒间界存在大量的悬挂键与缺陷，形成带隙能态，从而导致在有源层中形成载流子陷阱和杂质分凝，本文从微观方面解释悬挂键形成带隙能态的原因极其影响，并给出降低带隙密度的方法-氢化。
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| 关 键 词： | 悬挂键 带隙能态 氢化 晶粒间界 多晶硅TFT 有源层 多晶硅薄膜 杂质分凝 带隙 载流子 |
| 文章编号： | 1006-6268（2005）09-0032-03 |
| 收稿时间： | 2005-05-27 |
| 修稿时间： | 2005-05-27 |
The Study Of Grain-Boundary Of Polysilicon TFT Active Layer |
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| CHEN Fei,QI Kang-Cheng. The Study Of Grain-Boundary Of Polysilicon TFT Active Layer[J]. Advanced Display, 2005, 0(9): 32-34,26 |
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| Authors: | CHEN Fei QI Kang-Cheng |
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| Abstract: | The gap state which is caused by dangling bonds and defect in the active layer structer account for carrier trap and impurity segregate. We explain the cause of formation and effect of gap state in accordance of microcosmic in this paper and introduce a technique to decrease the gap state density-hydrogenation. |
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| Keywords: | dangling bonds gap state hydrogenation. |
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