| 多元HgCdTe线列探测器的同步辐射形貌术分析 |
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| 作者姓名： | 蔡毅 郑国珍 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,昆明物理研究所,中国科学院高能物理研究所北京正负电子对撞机国家实验室 上海200083 昆明物理研究所,云南,昆明650223,上海200083,上海200083,云南 昆明650223,北京100039 |
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| 基金项目： | 中国科学院北京正负电子对撞机国家实验室资助项目 |
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| 摘 要： | 利用同步辐射拍摄了长波光导多元HgCdTe探测器芯片的高分辨率的白光形貌相,观察到多元线列器件探测元中明显存在晶格应变区、亚晶界、滑移面等缺陷.实验结果表明:多元线列器件探测元的性能与其光敏区HgCdTe材料中的晶体缺陷密切相关,器件工艺对HgCdTe晶片的应力状态有极大的影响,器件工艺对材料的应力作用可从多元器件探测元晶格的完整性反映出来.
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| 关 键 词： | 多元线列探测 同步辐射 形貌术 HgCdTe |
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