| 电感耦合等离子体刻蚀InP端面的掩膜特性研究 |
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| 引用本文： | 王健,熊兵,孙长征,郝智彪,罗毅.电感耦合等离子体刻蚀InP端面的掩膜特性研究[J].功能材料与器件学报,2003,9(4):432-436. |
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| 作者姓名： | 王健 熊兵 孙长征 郝智彪 罗毅 |
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| 作者单位： | 集成光电子国家重点实验室,清华大学电子工程系,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划项目(No.TG2000036601)，国家高技术研究发展计划项目(No.2001AA312190,2002AA31119Z)，国家自然科学基金(批准号:69896260-01) |
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| 摘 要： | 深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响。首先比较了光刻胶、SiO2和Si3N4三种材料的掩膜特性，发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。然后通过优化SF6等离子体刻蚀Si3N4的条件，得到了边缘平整且侧壁垂直的掩膜图形。利用这一掩膜制作技术，获得了深度达7μm的光滑垂直的InP刻蚀端面，选择比达15：1。
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| 关 键 词： | 干法刻蚀 掩膜 ICP InP 刻蚀端面 等离子体 |
| 文章编号： | 1007-4252(2003)04-0432-05 |
| 修稿时间： | 2003年1月27日 |
Effects of mask characteristics on InP etched- facets by using inductively coupled plasma dry etching |
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| WANG Jian,XIONG Ring,SUN Chang - zheng,HAO Zhi - biao,LUO Yi.Effects of mask characteristics on InP etched- facets by using inductively coupled plasma dry etching[J].Journal of Functional Materials and Devices,2003,9(4):432-436. |
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| Authors: | WANG Jian XIONG Ring SUN Chang - zheng HAO Zhi - biao LUO Yi |
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| Keywords: | dry etching mask ICP InP etched - facet |
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