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| 低温形成栅介质膜电特性的容—压法分析 | |
| 作者姓名： | 章晓文 王锋 |
| 作者单位： | [1]华中理工大学应用物理系 [2]广东省电子技术学校 |
| 摘 要： | 采用准静态Ｃ－Ｖ特性和高频Ｃ－Ｖ特性测试技术，结合温偏（Ｂ－Ｔ）实验，测试了等离子体增强化学汽相沉积（ＰＥＣＶＤ）法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜的电学特性（界面态密度、固定电荷密度、介电常数、可动离子密度），结果表明，制备出的栅介质膜性质优良。 |
| 关 键 词： | 等离子体增强 化学汽相沉积 PECVD 硅化物 |
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