用动态热释电法研究TGS电畴结构的稳定性

本文报导关于TGS单晶热释电电压U_p(T)与温度的关系的研究结果。发现在低于相变点几度的温度下,U_p(T)曲线上有一突变点。此突变点的位置与样品极化的方式及电极的种类有关。并用电畴结构的“破坏”来解释突变点的存在。