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| 利用MOSFET亚阈I—V特性进行辐射感生界面陷阱的测量 | |
| 引用本文： | 张正选,袁仁峰.利用MOSFET亚阈I—V特性进行辐射感生界面陷阱的测量[J].电子学报,1999,27(11):128-129,132. |
| 作者姓名： | 张正选 袁仁峰 |
| 作者单位： | [1]西安交通大学微电子所 [2]西北核技术研究所 |
| 摘 要： | 本文利用ＭＯＳＦＥＴ亚阈Ｉ－Ｖ曲线对加固和非加固ＭＯＳＦＥＴ的辐射感生界面陷阱密度进行了测量，分析和讨论了辐射感生的界面陷阱密度依赖于辐射总剂量和辐射剂量率的变化关系。 |
| 关 键 词： | I－V特性 辐射 界面陷阱 MOSFET |
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