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联华电子顺利验证12VeFlash解决方案
摘 要:
联华电子日前宣布,已顺利验证晶圆代工领域第一个结合12V解决方案的高压嵌入式闪存(eFlash)工艺。此工艺可将中大尺寸触控IC所需的驱动高压,以及存放算法所需的eFlash,结合于同一颗高整合度的单芯片中,并且有效地改善信噪比(SNR)。与业界所提供的其它高压选项(例如18V、24V或32V)相比,此12V解决方案在信噪比与耗电之间,提供了绝佳的平衡。联华电子12VeFlash技术目前已于0.11微米与0.18微米工艺上提供给客户使用。
关 键 词:
0
18微米工艺
电子
验证
Flash技术
嵌入式闪存
动高压
晶圆代工
信噪比
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