| 基于RHBD技术CMOS锁存器加固电路的研究 |
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| 引用本文： | 胡明浩,李磊,饶全林.基于RHBD技术CMOS锁存器加固电路的研究[J].微电子学与计算机,2010,27(7). |
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| 作者姓名： | 胡明浩 李磊 饶全林 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,电子科学技术研究院,四川,成都,610054 |
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| 摘 要： | 对基于RHBD技术CMOS D锁存器抗辐射加固电路设计技术进行了研究,并对其抗单粒子效应进行了模拟仿真.首先介绍了基于RHBD技术的双互锁存储单元(DICE)技术,然后给出了基于DICE结构的D锁存器的电路设计及其提取版图寄生参数后的功能仿真,并对其抗单粒子效应给出了模拟仿真,得出了此设计下的阈值LET,仿真结果表明:基于DICE结构的D锁存器具有抗单粒子效应的能力.
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| 关 键 词： | 抗辐射加固 RHBD技术 阈值LET |
Research of CMOS D-Latch Hardened Circuit Based on RHBD Technology |
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| HU Ming-hao,LI Lei,RAO Quan-lin.Research of CMOS D-Latch Hardened Circuit Based on RHBD Technology[J].Microelectronics & Computer,2010,27(7). |
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| Authors: | HU Ming-hao LI Lei RAO Quan-lin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS DICE D-Latch |
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