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复合靶溅射Bi4Ti3O12铁电薄膜的结构和相变
引用本文:刘海林,熊锐,金明桥,于国萍,李玲. 复合靶溅射Bi4Ti3O12铁电薄膜的结构和相变[J]. 压电与声光, 2002, 24(4): 312-314,322
作者姓名:刘海林  熊锐  金明桥  于国萍  李玲
作者单位:武汉大学,物理系,武汉,430072
摘    要:采用金属与金属氧化物复合靶的射频溅射法,在Si基片上沉积制备了Bi4Ti3O12(BTO)铁电薄膜,用变温X-射线及热分析等方法研究BTO铁电薄膜的结构和相变,结果表明,在温度为350-445℃之间,薄膜经历由烧绿石相向钙钛矿相的结构相变,在670℃附近,薄膜由铁电相向顺电相转变,该相变是由于晶格畸变量b/a随温度上升连续减小,使得薄膜晶体对称性发生改变引起,在相变附近未观察到潜热的产生。

关 键 词:BTO薄膜 复合靶 溅射 Bi4Ti3O12铁电薄膜 相变
文章编号:1004-2474(2002)04-0312-03

The Structure and Phase Transition of Bi4Ti3O12 Ferroelectric Film by Sputtering of Composite Target
LIU Hai lin,XIONG Rui,JIN Min qiao,YU Guo pin,LI Lin. The Structure and Phase Transition of Bi4Ti3O12 Ferroelectric Film by Sputtering of Composite Target[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2002, 24(4): 312-314,322
Authors:LIU Hai lin  XIONG Rui  JIN Min qiao  YU Guo pin  LI Lin
Abstract:
Keywords:Bi 4Ti 3O 12 ferroelectric film  structure  phase transition
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