| 连续冷却条件下正常晶粒长大理论 |
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| 引用本文： | 陈明伟,林栋梁. 连续冷却条件下正常晶粒长大理论[J]. 材料热处理学报, 1994, 0(2) |
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| 作者姓名： | 陈明伟 林栋梁 |
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| 作者单位： | 上海交通大学 |
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| 摘 要： | 探讨了单相合金高温形变再结晶后连续冷却条件下正常晶粒长大问题。结合传热学及晶界迁移理论证明，在连续冷却条件下晶粒的长大满足关系。进一步的理论分析表明，在连续冷却条件下，晶粒的长大存在因温度连续变化而形成的极限尺寸ｄ＿ｍ，以及相应的临界时间τ＿ｃ。试验结果与上述理论吻合较好。
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| 关 键 词： | 正常晶粒长大，连续冷却，集总热容法 |
THE THEORY OF NORMAL GRAIN GROWTH DURING CONTINUOUS COOLING |
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| Chen Mingwei,Lin Dongliang. THE THEORY OF NORMAL GRAIN GROWTH DURING CONTINUOUS COOLING[J]. Transactions of Materials and Heat Treatment, 1994, 0(2) |
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| Authors: | Chen Mingwei Lin Dongliang |
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| Affiliation: | Chen Mingwei;Lin Dongliang(T.L.Lin) (Shanghai Jiao Tong University ) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | normal grain growth continuous cooling the lumped capacitance method |
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