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| p－GaAs／n－GaAs MOCVD外延层少子扩散长度的液结光伏谱测量和分析 | |
| 作者姓名： | 陈朝 王健华 |
| 作者单位： | 集成光电子学国家重点联合实验室清华大学实验区清华大学电子工程系，厦门大学物理系 |
| 摘 要： | 用液结光伏谱方法首次在ＰＮ４３５０光伏谱仪上对用国产ＭＯＣＶＤ设备生长的九个ｐ－ＧａＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ外延样品ｐ型外延层的少于扩散长度Ｌｎ和掺杂浓度ＮＡ的关系作了测量和分析．结果表明，Ｌｎ－ＮＡ关系对反应管的清洁度非常敏感．如果反应管经严格清洗，并仅生长ＧａＡｓ材料，那么Ｌｎ－ＮＡ关系同前人报道的无沾污生长的样品基本一致；否则Ｌｎ值就明显偏小．用本方法测定ＧａＡｓ外延层的Ｌｎ值具有简便、准确的优点，可作为检测ＧａＡｓ外延层质量的重要手段． |
| 关 键 词： | 砷化镓 MOCVD 外延层 少子扩散长度 |
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