首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
p-GaAs/n-GaAs MOCVD外延层少子扩散长度的液结光伏谱测量和分析
作者姓名:
陈朝
王健华
作者单位:
集成光电子学国家重点联合实验室清华大学实验区清华大学电子工程系,厦门大学物理系
摘 要:
用液结光伏谱方法首次在PN4350光伏谱仪上对用国产MOCVD设备生长的九个p-GaAs/n-GaAs外延样品p型外延层的少于扩散长度Ln和掺杂浓度NA的关系作了测量和分析.结果表明,Ln-NA关系对反应管的清洁度非常敏感.如果反应管经严格清洗,并仅生长GaAs材料,那么Ln-NA关系同前人报道的无沾污生长的样品基本一致;否则Ln值就明显偏小.用本方法测定GaAs外延层的Ln值具有简便、准确的优点,可作为检测GaAs外延层质量的重要手段.
关 键 词:
砷化镓
MOCVD
外延层
少子扩散长度
本文献已被
CNKI
维普
等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号