| 水热法制备Ge/SiOx纳米电缆 |
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| 引用本文： | 袁媛,唐元洪,李晓川,林良武,谭艳. 水热法制备Ge/SiOx纳米电缆[J]. 功能材料, 2008, 39(6): 1027-1029 |
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| 作者姓名： | 袁媛 唐元洪 李晓川 林良武 谭艳 |
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| 作者单位： | 湖南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410082;湖南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410082;湖南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410082;湖南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410082;湖南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410082 |
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| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 以混合的氧化锗粉和硅粉为原料，采用水热法在高温高压下制备出具有核-壳同轴结构的Ge／SiOx纳米电缆。扫描和透射电镜研究表明这种Ge／SiOx纳米同轴电缆的产量高，直径分布均匀，长度可达微米级，并证实其为非晶态SiOx包裹Ge内核的核-壳结构。Ge芯线沿着[211]方向生长。Ge／SiOx纳米同轴电缆的生长过程遵循气-液-固和氧化物辅助生长机制，与原料中GeO2与Si的比率有关。
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| 关 键 词： | 纳米电缆 锗 硅 水热法 表征 |
Synthesis of Ge/SiOx nanocables by hyrothermal method |
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| YUAN Yuan,TANG Yuan-hong,LI Xiao-chuan,LIN Liang-wu,TAN Yan. Synthesis of Ge/SiOx nanocables by hyrothermal method[J]. Journal of Functional Materials, 2008, 39(6): 1027-1029 |
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| Authors: | YUAN Yuan TANG Yuan-hong LI Xiao-chuan LIN Liang-wu TAN Yan |
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