| 倾斜衬底沉积法在金属衬底上外延生长YBCO薄膜 |
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| 引用本文： | 李美亚,赵兴中,B.Ma,R. E. Koritala,U. Balachandran.倾斜衬底沉积法在金属衬底上外延生长YBCO薄膜[J].功能材料,2004,35(Z1):884-886. |
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| 作者姓名： | 李美亚 赵兴中 B.Ma R. E. Koritala U. Balachandran |
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| 作者单位： | 李美亚（武汉大学,纳米科学与材料中心,湖北,武汉,430072;武汉大学,纳米科学与材料中心,湖北,武汉,430072）;赵兴中（武汉大学,纳米科学与材料中心,湖北,武汉,430072;武汉大学,纳米科学与材料中心,湖北,武汉,430072）;B.Ma（武汉大学,纳米科学与材料中心,湖北,武汉,430072）;R. E. Koritala（Energy Technology Division, Argonne National Laboratory, Argonne, IL 60439, USA）;U. Balachandran（Energy Technology Division, Argonne National Laboratory, Argonne, IL 60439, USA） |
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| 摘 要： | YBa2Cu3O7-x(YBCO)镀膜导体在电力等能源领域有巨大应用前景.利用倾斜衬底沉积法在无织构的金属衬底上生长了MgO双轴织构的模板层,在这一模板层上实现了双轴织构的YBCO薄膜的外延生长.这些膜的双轴织构用X射线极图分析、φ-扫描作了测定,观测到了MgO001]方向相对于衬底法线倾斜了31°.研究了不同缓冲层材料对YBCO外延生长的取向和双轴织构的影响,外延生长的高质量的YBCO薄膜的转变温度和临界电流密度分别达到了91K和5.5×105A/cm2的较高的值.
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| 关 键 词： | YBCO镀膜导体 倾斜衬底沉积法 外延生长 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-0884-03 |
| 修稿时间： | 2004年3月27日 |
YBa2Cu3O7-x films grown epitaxially on inclined-substrate-deposited MgO-buffered metallic substrates |
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