| 碳掺杂β-FeSi2薄膜的电子显微学研究 |
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| 引用本文： | 李晓娜,聂冬,董闯.碳掺杂β-FeSi2薄膜的电子显微学研究[J].电子显微学报,2002,21(1):43-51. |
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| 作者姓名： | 李晓娜 聂冬 董闯 |
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| 作者单位： | 1. 三束国家重点联合实验室大连理工大学分部,大连理工大学材料工程系,辽宁,大连,116024；中国科学院北京电子显微镜实验室,北京,100080
2. 三束国家重点联合实验室大连理工大学分部,大连理工大学材料工程系,辽宁,大连,116024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，59872007， |
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| 摘 要： | 本文利用透射电子显微镜对离子注入合成的β-FeSi2和β-Fe(C,Si)2薄膜进行了对比研究.电镜观察结果表明,选择C作为掺杂元素,能够得到界面平直、厚度均一的高质量β相薄膜,晶粒得到细化,β-FeSi2层稳定性提高.尤其在60kV、4×1017ions/cm2条件下注入直接形成非晶,在退火后会晶化为界面平滑、厚度均匀的β-FeSi2薄膜.因此从微结构角度考虑,引入C离子有益于提高β-FeSi2薄膜的质量.
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| 关 键 词： | β－FeSi2 半导体薄膜 金属硅化物 离子注入 透射电子显微镜 碳掺杂 |
| 文章编号： | 1000-6281(2002)01-0043-09 |
Studies of carbon doped β-FeSi2 films by transmission electron microscopy |
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| LI Xiao na ,NIE Dong ,DONG Chuang.Studies of carbon doped β-FeSi2 films by transmission electron microscopy[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2002,21(1):43-51. |
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| Authors: | LI Xiao na NIE Dong DONG Chuang |
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| Affiliation: | LI Xiao na 1,2,NIE Dong 1,DONG Chuang 1 |
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